參數(shù)資料
型號： R1LP0408CSP-5SC
元件分類： SRAM
英文描述： 512K X 8 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO32
封裝： 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32
文件頁數(shù)： 11/14頁
文件大小： 94K
代理商： R1LP0408CSP-5SC
R1LP0408C-C Series
Rev.2.00, May.26.2004, page 6 of 12
DC Characteristics
Parameter
Symbol Min Typ
Max Unit Test conditions
Input leakage current
|ILI|
1
A
Vin = VSS to VCC
Output leakage current
|ILO|
1
A
CS# = VIH or OE# = VIH or
WE# = VIL or VI/O = VSS to VCC
Operating current
ICC
1.5*
1
3
mA
CS# = VIL,
Others = VIH/ VIL, II/O = 0 mA
Average operating current
ICC1
8*
1
25
mA
Min. cycle, duty = 100%,
CS# = VIL, Others = VIH/VIL
II/O = 0 mA
ICC2
2*
1
5
mA
Cycle time = 1
s,
duty = 100%,
II/O = 0 mA, CS#
≤ 0.2 V,
VIH
≥ VCC 0.2 V, VIL ≤ 0.2 V
Standby current
ISB
0.1*
1
0.5
mA
CS# = VIH
to +70
°C
ISB1
8
A
Vin
≥ 0 V, CS# ≥ VCC 0.2 V
to +40
°C
ISB1
1.0*
2
3
A
5SC
to +25
°C
ISB1
0.8*
1
3
A
to +70
°C
ISB1
16
A
to +40
°C
ISB1
1.0*
2
10
A
Standby current
7LC
to +25
°C
ISB1
0.8*
1
10
A
Output low voltage
VOL
0.4
V
IOL = 2.1 mA
Output high voltage
VOH
2.4
V
IOH =
1.0 mA
VOH2
2.6
V
IOH =
0.1 mA
Notes: 1. Typical values are at VCC = 5.0 V, Ta = +25
°C and specified loading, and not guaranteed.
2. Typical values are at VCC = 5.0 V, Ta = +40
°C and specified loading, and not guaranteed.
Capacitance
(Ta = +25
°C, f = 1.0 MHz)
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Note
Input capacitance
Cin
8
pF
Vin = 0 V
1
Input/output capacitance
CI/O
10
pF
VI/O = 0 V
1
Note:
1. This parameter is sampled and not 100% tested.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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R1LP0408CSP5SC#S0 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
R1LP0408CSP-5SC#S0 功能描述:IC SRAM 4MBIT 55NS 32SOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
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