參數(shù)資料
型號(hào)： R1LP0408CSP-5SC
元件分類： SRAM
英文描述： 512K X 8 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO32
封裝： 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32
文件頁(yè)數(shù)： 10/14頁(yè)
文件大小： 94K
代理商： R1LP0408CSP-5SC
R1LP0408C-C Series
Rev.2.00, May.26.2004, page 5 of 12
Operation Table
WE#
CS#
OE#
Mode
VCC current
I/O0 to I/O7
Ref. cycle
×
H
×
Not selected
ISB, ISB1
High-Z
H
L
H
Output disable
ICC
High-Z
H
L
Read
ICC
Dout
Read cycle
L
H
Write
ICC
Din
Write cycle (1)
L
Write
ICC
Din
Write cycle (2)
Note:
H: VIH, L: VIL,
×: VIH or VIL
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Power supply voltage relative to VSS
VCC
0.5 to +7.0
V
Terminal voltage on any pin relative to VSS
VT
0.5*
1 to V
CC + 0.3*
2
V
Power dissipation
PT
0.7
W
Operating temperature
Topr
20 to +70
°C
Storage temperature range
Tstg
65 to +150
°C
Storage temperature range under bias
Tbias
20 to +85
°C
Notes: 1. VT min:
3.0 V for pulse half-width ≤ 30 ns.
2. Maximum voltage is +7.0 V.
DC Operating Conditions
(Ta =
20 to +70°C)
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Supply voltage
VCC
4.5
5.0
5.5
V
VSS
0
V
Input high voltage
VIH
2.2
VCC + 0.3
V
Input low voltage
VIL
0.3*
1
0.8
V
Note:
1. VIL min:
3.0 V for pulse half-width ≤ 30 ns.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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R1LP0408CSP5SC#S0 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
R1LP0408CSP-5SC#S0 功能描述:IC SRAM 4MBIT 55NS 32SOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
R1LP0408CSP-5SCB0 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SRAM,Low Power,4Mb, x8, 55ns
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