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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PA28F400BVT80 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 4-MBIT (256K X 16, 512K X 8)SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 中文描述： | 256K X 16 FLASH 5V PROM, PDSO44 |
| 封裝： | 1.110 X 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-44 |
| 文件頁數(shù)： | 46/50頁 |
| 文件大小： | 559K |
| 代理商： | PA28F400BVT80 |
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28F400BX-T/B, 28F004BX-T/B
AC CHARACTERISTICSDCE
Y
-CONTROLLED WRITE OPERATIONS
(1, 9)
Versions
V
CC
g
5%
28F400BX-60
(10)
28F004BX-60
(10)
Unit
V
CC
g
10%
28F400BX-60
(11)
28F004BX-60
(11)
28F400BX-80
(11)
28F400BX-120
(11)
28F004BX-80
(11)
28F004BX-120
(11)
Symbol
Parameter
Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time
60
70
80
120
ns
t
PHEL
t
PS
RP
Y
High
Recovery
to CE
Y
Going Low
215
215
215
215
ns
t
WLEL
t
WS
WE
Y
Setup to
CE
Y
Going Low
0
0
0
0
ns
t
PHHEH
t
PHS
RP
Y
V
HH
Setup to
CE
Y
Going High
6, 8
100
100
100
100
ns
t
VPEH
t
VPS
V
PP
Setup to CE
Y
Going High
5, 8
100
100
100
100
ns
t
AVEH
t
AS
Address Setup to
CE
Y
Going High
3
50
50
50
50
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup to
CE
Y
Going High
4
50
50
50
50
ns
t
ELEH
t
CP
CE
Y
Pulse Width
50
50
60
60
ns
t
EHDX
t
DH
Data Hold from
CE
Y
High
4
0
0
0
0
ns
t
EHAX
t
AH
Address Hold
from CE
Y
High
3
10
10
10
10
ns
t
EHWH
t
WH
WE
Y
Hold from
CE
Y
High
10
10
10
10
ns
t
EHEL
t
CPH
CE
Y
Pulse
Width High
10
20
20
20
ns
t
EHQV1
Duration of Word/
Byte Programming
Operation
2, 5
6
6
6
6
m
s
t
EHQV2
Duration of Erase
Operation (Boot)
2, 5, 6
0.3
0.3
0.3
0.3
s
t
EHQV3
Duration of Erase
Operation
(Parameter)
2, 5
0.3
0.3
0.3
0.3
s
t
EHQV4
Duration of Erase
Operation (Main)
2, 5
0.6
0.6
0.6
0.6
s
t
QVVL
t
VPH
V
PP
Hold from
Valid SRD
5, 8
0
0
0
0
ns
t
QVPH
t
PHH
RP
Y
V
HH
Hold
from Valid SRD
6, 8
0
0
0
0
ns
t
PHBR
Boot-Block
Relock Delay
7
100
100
100
100
ns
46
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| PA28F400CV-T60 | 2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
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參數(shù)描述 |
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