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參數(shù)資料
| 型號： | PA28F400BVT80 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 4-MBIT (256K X 16, 512K X 8)SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 中文描述： | 256K X 16 FLASH 5V PROM, PDSO44 |
| 封裝： | 1.110 X 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-44 |
| 文件頁數(shù)： | 43/50頁 |
| 文件大?。?/td> | 559K |
| 代理商： | PA28F400BVT80 |
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28F400BX-T/B, 28F004BX-T/B
BLOCK ERASE AND WORD/BYTE WRITE PERFORMANCE
V
PP
e
12.0V
g
10%
Parameter
Notes
28F400BX-60
28F004BX-60
28F400BX-80
28F004BX-80
28F400BX-120
28F004BX-120
Unit
Min
Typ
(1)
Max
Min
Typ
(1)
Max
Min
Typ
(1)
Max
Boot/Parameter
Block Erase Time
2
5.8
40
5.8
40
5.8
40
s
Main Block
Erase Time
2
14
60
14
60
14
60
s
Main Block Byte
Program Time
2
6.0
20
6.0
20
6.0
20
s
Main Block Word
Program Time
2
3.0
10
3.0
10
3.0
10
s
NOTES:
1. 25
§
C
2. Excludes System-Level Overhead.
EXTENDED TEMPERATURE OPERATION
AC CHARACTERISTICSDWE
Y
Controlled Write Operations
(1)
Versions
(4)
T28F400BX-80
(9)
T28F004BX-80
(9)
Unit
Symbol
Parameter
Notes
Min
Max
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time
80
ns
t
PHWL
t
PS
RP
Y
High Recovery to
WE
Y
Going Low
220
ns
t
ELWL
t
CS
CE
Y
Setup to WE
Y
Going Low
0
ns
t
PHHWH
t
PHS
RP
Y
V
HH
Setup to WE
Y
Going High
6, 8
100
ns
t
VPWH
t
VPS
V
PP
Setup to WE
Y
Going High
Address Setup to WE
Y
Going High
5, 8
100
ns
t
AVWH
t
AS
3
60
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup to WE
Y
Going High
4
60
ns
t
WLWH
t
WP
WE
Y
Pulse Width
60
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold from WE
Y
High
4
0
ns
t
WHAX
t
AH
Address Hold from WE
Y
High
3
10
ns
t
WHEH
t
CH
CE
Y
Hold from WE
Y
High
10
ns
t
WHWL
t
WPH
WE
Y
Pulse Width High
20
ns
t
WHQV1
Duration of Word/Byte
Programming Operation
2, 5
7
m
s
t
WHQV2
Duration of Erase Operation (Boot)
2, 5, 6
0.4
s
43
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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