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    參數(shù)資料
    

    


    


    
型號：
P9S12XEP100J1MAA

    

    
廠商：
飛思卡爾半導體(中國)有限公司

    

    
英文描述：
Microcontrollers

    

    
中文描述：
微控制器

    

    
文件頁數(shù)：
844/1036頁

    

    
文件大?。?/td>
3356K

    

    
代理商：
P9S12XEP100J1MAA


    

    

    

	
    
    
    
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    MC9S12XE-Family Reference Manual , Rev. 1.07
    Freescale Semiconductor
    844
    CAUTION
    A Flash word or phrase must be in the erased state before being
    programmed. Cumulative programming of bits within a Flash word or
    phrase is not allowed.
    The RAM and Flash memory may be read as bytes, aligned words, or misaligned words. Read access time
    is one bus cycle for bytes and aligned words, and two bus cycles for misaligned words. For Flash memory,
    an erased bit reads 1 and a programmed bit reads 0. It is not possible to read from a Flash block while any
    command is executing on that specific Flash block. It is possible to read from a Flash block while a
    command is executing on a different Flash block.
    BothP-FlashandD-FlashmemoriesareimplementedwithErrorCorrectionCodes(ECC)thatcanresolve
    single bit faults and detect double bit faults. For P-Flash memory, the ECC implementation requires that
    programming be done on an aligned 8 byte basis (a Flash phrase).
    23.1.1
    Glossary
    Buffer RAM
     — The buffer RAM constitutes the volatile memory store required for EEE. Memory space
    in the buffer RAM not required for EEE can be partitioned to provide volatile memory space for
    applications.
    Command Write Sequence
     — An MCU instruction sequence to execute built-in algorithms (including
    program and erase) on the Flash memory.
    D-Flash Memory
     — The D-Flash memory constitutes the nonvolatile memory store required for EEE.
    Memory space in the D-Flash memory not required for EEE can be partitioned to provide nonvolatile
    memory space for applications.
    D-Flash Sector
     — The D-Flash sector is the smallest portion of the D-Flash memory that can be erased.
    The D-Flash sector consists of four 64 byte rows for a total of 256 bytes.
    EEE (Emulated EEPROM)
     — A method to emulate the small sector size features and endurance
    characteristics associated with an EEPROM.
    EEE IFR
     — Nonvolatile information register located in the D-Flash block that contains data required to
    partitiontheD-FlashmemoryandbufferRAMforEEE.TheEEEIFRisvisibleintheglobalmemorymap
    by setting the EEEIFRON bit in the MMCCTL1 register.
    NVMCommandMode
    —AnNVMmodeusingtheCPUtosetuptheFCCOBregistertopassparameters
    required for Flash command execution.
    Phrase
     — An aligned group of four words within the P-Flash memory associated with eight ECC bits.
    P-Flash Memory
     — The P-Flash memory constitutes the main nonvolatile memory store for applications.
    
    
    
    
    
    


    


    

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P9S12XEP100J1MAAR
 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Microcontrollers

    

    
P9S12XEP100J1MAG
 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Microcontrollers

    

    
P9S12XEP100J1MAGR
 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Microcontrollers

    

    
P9S12XEP100J1MAL
 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Microcontrollers

    

    
P9S12XEP100J1MALR
 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Microcontrollers

    

    
    
    
    
	
    	
    
    
     
     
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