SBOS342B – DECEMBER 2008 – REVISED AUGUST 2009 ......................................" />
參數(shù)資料
型號: OPA659IDBVR
廠商: Texas Instruments
文件頁數(shù): 13/32頁
文件大?。?/td> 0K
描述: IC OPAMP JFET 650MHZ SGL SOT23-5
標準包裝: 3,000
放大器類型: J-FET
電路數(shù): 1
轉(zhuǎn)換速率: 2550 V/µs
增益帶寬積: 350MHz
-3db帶寬: 650MHz
電流 - 輸入偏壓: 10pA
電壓 - 輸入偏移: 1000µV
電流 - 電源: 32mA
電流 - 輸出 / 通道: 70mA
電壓 - 電源,單路/雙路(±): ±3.5 V ~ 6.5 V
工作溫度: -40°C ~ 85°C
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SC-74A,SOT-753
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SOT-23-5
包裝: 帶卷 (TR)
Bill of Materials
SBOS342B – DECEMBER 2008 – REVISED AUGUST 2009 ............................................................................................................................................ www.ti.com
Table 4 lists the bill of material for the OPA659EVM as supplied from TI.
Table 4. OPA659EVM Parts List
REFERENCE
MANUFACTURER
ITEM
DESCRIPTION
SMD SIZE
DESIGNATOR
QUANTITY
PART NUMBER
1
Cap, 10.0
F, Tantalum, 10%, 35V
D
C1, C2
2
(AVX) TAJ106K035R
2
Cap, 0.1
F, Ceramic, X7R, 16V
0603
C3, C4
2
(AVX) 0603YC104KAT2A
3
Open
0603
R1, R2
2
4
Resistor, 0
0603
R4
1
(ROHM) MCR03EZPJ000
5
Resistor, 49.9
, 1/10W, 1%
0603
R3, R5
2
(ROHM) MCR03EZPFX49R9
Jack, Banana Receptance, 0.25in
6
J4, J5, J8
3
(SPC) 813
diameter hole
7
Connector, Edge, SMA PCB Jack
J1, J2, J3
3
(JOHNSON) 142-0701-801
8
Test Point, Black
TP1
1
(KEYSTONE) 5001
9
IC, OPA659
U1
1
(TI) OPA659DRB
10
Standoff, 4-40 HEX, 0.625in length
4
(KEYSTONE) 1808
11
Screw, Phillips, 4-40, .250in
4
SHR-0440-016-SN
12
Board, Printed Circuit
1
(TI) EDGE# 6506173
(STEWARD)
13
Bead, Ferrite, 3A, 80
1206
FB1, FB2
2
HI1206N800R-00
20
Copyright 2008–2009, Texas Instruments Incorporated
Product Folder Link(s): OPA659
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MAX4202ESA+T IC BUFFER OPEN LOOP 8-SOIC
OPA659IDRBR IC OPAMP WBND VFB JFET IN 8-SON
MAX4104ESA+T IC OP AMP LOW NOISE 8-SOIC
P40-G240-WHX CIRCUIT PROT 240MA 40VIMP TBU
RL0510S-R10-F RES 0.10 OHM 1/6W 1% 0402
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
OPA659IDBVT 功能描述:高速運算放大器 650MHz unity gain stable JFET Inp amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補償電壓:0.5 mV 轉(zhuǎn)換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
OPA659IDRBR 功能描述:高速運算放大器 650MHz unity gain stable JFET inp Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補償電壓:0.5 mV 轉(zhuǎn)換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
OPA659IDRBT 功能描述:高速運算放大器 650MHz unity gain stable JFET inp Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補償電壓:0.5 mV 轉(zhuǎn)換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
OPA659IDRBT 制造商:Texas Instruments 功能描述:Operational Amplifier (Op-Amp) IC 制造商:Texas Instruments 功能描述:IC, OP-AMP, 350MHZ, 2550V/ us, SON-8
OPA660 制造商:BB 制造商全稱:BB 功能描述:Wide Bandwidth OPERATIONAL TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER AND BUFFER