參數(shù)資料
型號(hào)： NE34018-T1-63
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HFET
封裝： PLASTIC, SUPERMINI-4
文件頁(yè)數(shù)： 9/16頁(yè)
文件大?。?/td> 77K
代理商： NE34018-T1-63
Data Sheet P11618EJ4V0DS00
2
NE34018
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS (TA = +25
°°°°C)
Parameter
Symbol
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Drain to Source Voltage
VDS
2.0
3.0
V
Drain Current
ID
530
mA
Input Power
Pin
0dBm
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Gate to Source Leak Current
IGSO
VGS =
3.0 V
0.5
10
A
Saturated Drain Current
IDSS
VDS = 2.0 V, VGS = 0 V
30
120
mA
Gate to Source Cutoff Voltage
VGS (off)
VDS = 2.0 V, ID = 100
A
0.2
0.8
2.0
V
Transconductance
gm
VDS = 2.0 V, ID = 5 mA
30
mS
Noise Figure
NF
VDS = 2.0 V, ID = 5 mA, f = 2 GHz
0.6
1.0
dB
Associated Gain
Ga
14
16
dB
Power Gain
GS
18
dB
Gain 1 dB Compression Output Power
PO (1 dB)
VDS = 3.0 V, ID = 30 mA (RF off),
f = 2 GHz
15
dBm
IDSS CLASSIFICATION
Rank
IDSS (mA)
Marking
63
30 to 65
V63
64
60 to 120
V64
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE6500179A L BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MESFET
NEF0100151B0C 1-OUTPUT 15 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE
NES230 5.5 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-5
NES2427P-140 2 CHANNEL, S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MESFET
NES65A 12 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE34018-T1-64 功能描述:MOSFET L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NE34018-T1-64-A 功能描述:射頻GaAs晶體管 L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE34018-T1-A 功能描述:射頻GaAs晶體管 L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE34018-T2 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE34018-TI-63-A 制造商:CEL 制造商全稱:CEL 功能描述:GaAs HJ-FET L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER (New Plastic Package)
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*