型號(hào): | NE34018-T1-63 |
元件分類: | 小信號(hào)晶體管 |
英文描述: | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HFET |
封裝: | PLASTIC, SUPERMINI-4 |
文件頁數(shù): | 16/16頁 |
文件大?。?/td> | 77K |
代理商: | NE34018-T1-63 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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NE6500179A | L BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MESFET |
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NES2427P-140 | 2 CHANNEL, S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MESFET |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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NE34018-T1-64-A | 功能描述:射頻GaAs晶體管 L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
NE34018-T1-A | 功能描述:射頻GaAs晶體管 L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
NE34018-T2 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
NE34018-TI-63-A | 制造商:CEL 制造商全稱:CEL 功能描述:GaAs HJ-FET L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER (New Plastic Package) |