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參數(shù)資料
| 型號： | NE34018-T1-63 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HFET |
| 封裝： | PLASTIC, SUPERMINI-4 |
| 文件頁數(shù)： | 14/16頁 |
| 文件大小： | 77K |
| 代理商： | NE34018-T1-63 |
Data Sheet P11618EJ4V0DS00
7
NE34018
AMPLIFIER PARAMETERS
VDS = 2.0 V, ID = 10 mA
Frequency
GUmax
GAmax
S
21
2
S
12
2
K
Delay
Mason’s U
G1
G2
MHz
dBdBdBdB
ns
dBdBdB
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
1500
1600
1700
1800
1900
2000
2100
2200
2300
2400
2500
2600
2700
2800
2900
3000
36.72
34.68
33.00
31.44
30.33
29.14
27.83
27.55
26.71
25.99
25.23
24.63
23.92
23.33
22.70
20.26
19.72
19.32
18.85
18.52
18.19
17.90
17.53
17.29
16.94
16.58
17.17
17.13
16.99
16.90
16.81
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16.27
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15.97
15.82
15.64
15.47
15.31
14.92
14.73
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13.50
13.33
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33.03
31.95
30.71
29.79
29.03
28.43
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27.23
26.69
26.24
25.75
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24.48
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26.181
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16.35
14.42
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6.08
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5.21
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2.08
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1.81
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3.13
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3.04
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2.95
2.93
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2.79
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2.70
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1.94
1.86
1.83
1.78
1.76
1.73
1.69
1.68
1.63
1.59
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| NE34018-T1-A | 功能描述:射頻GaAs晶體管 L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
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