參數(shù)資料
型號: MT28F016S5VG-9
廠商: Micron Technology, Inc.
英文描述: 2 MEG x 8 SMART 5 EVEN-SECTORED FLASH MEMORY
中文描述: 2邁可× 8的SMART 5偶扇區(qū)快閃記憶體
文件頁數(shù): 23/24頁
文件大?。?/td> 282K
代理商: MT28F016S5VG-9
23
2 Meg x 8 Smart 5 Even-Sectored Flash Memory
F42.p65 – Rev. 1/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
ADVANCE
2 MEG x 8
SMART 5 EVEN-SECTORED FLASH MEMORY
WRITE/ERASE CYCLE
CE#-CONTROLLED WRITE/ERASE
NOTE:
1. Address inputs are “Don’t Care” but must be held stable.
2. Measured with V
PP
= V
PPH
= 5V.
t
VPS
2
t
RS
t
VPH
2
t
RYBY
t
WB
t
WED1
t
WED2
t
WR
100
1,000
0
90
90
6
600
0
ns
ns
ns
ns
ns
μs
ms
ns
TIMING PARAMETERS
-9
SYMBOL
t
WC
t
CPH
t
CP
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
WS
t
WH
MIN
90
25
50
40
5
40
5
0
0
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
-9
SYMBOL
MIN
UNITS
DON’T CARE
WE#
A0-A20
OE#
DQ0-DQ7
tWC
tWED1, 2
CE#
RP#
V
IH
V
IL
tRS
A
IN
V
PP
V
IH
V
IL
tWH
tWS
V
PPH1
V
IL
V
PPH2
tAS
tAH
tCP
tCPH
tDS
tDH
CMD
in
CMD/
Data-in
CMD
in
WRITE SETUP or
ERASE SETUP
input
WRITE or ERASE
executed, status register
checked for completion
Command for next
operation issued
tDH
tDS
WRITE or block
address asserted, and
WRITE data or ERASE
CONFIRM
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
tWR
tVPS
Note 1
tAS
tAH
RY/BY#
tWB
tRYBY
V
OH
V
OL
V
HH
Status
(SR7=1)
Status
(SR7=0)
tVPH
[5V V
PP
]
[12V V
PP
]
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PDF描述
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