參數(shù)資料
型號(hào)： MT28F016S5VG-9
廠商： Micron Technology, Inc.
英文描述： 2 MEG x 8 SMART 5 EVEN-SECTORED FLASH MEMORY
中文描述： 2邁可× 8的SMART 5偶扇區(qū)快閃記憶體
文件頁(yè)數(shù)： 21/24頁(yè)
文件大?。?/td> 282K
代理商： MT28F016S5VG-9
21
2 Meg x 8 Smart 5 Even-Sectored Flash Memory
F42.p65 – Rev. 1/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
ADVANCE
2 MEG x 8
SMART 5 EVEN-SECTORED FLASH MEMORY
WRITE AND ERASE DURATION CHARACTERISTICS
5V V
PP
PARAMETER
WRITE time
BLOCK ERASE time
BLOCK WRITE time
ERASE SUSPEND latency to READ
TYP
8
0.5
0.5
9
MAX
TBD
TBD
TBD
12
UNITS NOTES
μs
s
s
μs
1
1
1, 2, 3
1
SPEED-DEPENDENT WRITE/ERASE AC TIMING CHARACTERISTICS AND
RECOMMENDED AC OPERATING CONDITIONS:
WE# (CE#)-CONTROLLED WRITES
(0°C
￡
T
A
￡
+70°C; V
CC
= +5V ±10%)
AC CHARACTERISTICS
PARAMETER
WRITE cycle time
WE# (CE#) HIGH pulse width
WE# (CE#) pulse width
Address setup time to WE# (CE#) HIGH
Address hold time from WE# (CE#) HIGH
Data setup time to WE# (CE#) HIGH
Data hold time from WE# (CE#) HIGH
CE# (WE#) setup time to WE# (CE#) LOW
CE# (WE#) hold time from WE# (CE#) HIGH
V
PP
setup time to WE# (CE#) HIGH
RP# HIGH to WE# (CE#) LOW delay
WRITE duration
BLOCK ERASE duration
WRITE recovery to READ
V
PP
hold time from status data valid, RY/BY# HIGH
WE# (CE#) HIGH to RY/BY# LOW
WE# (CE#) HIGH to busy status (SR7 = 0)
-9
SYMBOL
t
WC
t
WPH (
t
CPH)
t
WP (
t
CP)
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
CS (
t
WS)
t
CH (
t
WH)
t
VPS
t
RS
t
WED1
t
WED2
t
WR
t
VPH
t
RYBY
t
WB
MIN
90
25
50
40
5
40
5
0
0
100
1,000
6
600
0
0
90
200
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
μs
ms
ns
ns
ns
ns
NOTES
NOTE:
1. Typical values measured at T
A
= +25°C.
2. Assumes no system overhead.
3. Typical WRITE times use checkerboard data pattern.
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PDF描述
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MT28F128J3BS-12 ET TR 功能描述:IC FLASH 128MBIT 120NS 64FBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤(pán)
MT28F128J3BS-12 MET 功能描述:IC FLASH 128MBIT 120NS 64FBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):Q2841869
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