參數(shù)資料
型號(hào)： MT28F016S5VG-9
廠商： Micron Technology, Inc.
英文描述： 2 MEG x 8 SMART 5 EVEN-SECTORED FLASH MEMORY
中文描述： 2邁可× 8的SMART 5偶扇區(qū)快閃記憶體
文件頁(yè)數(shù)： 22/24頁(yè)
文件大小： 282K
代理商： MT28F016S5VG-9
22
2 Meg x 8 Smart 5 Even-Sectored Flash Memory
F42.p65 – Rev. 1/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
ADVANCE
2 MEG x 8
SMART 5 EVEN-SECTORED FLASH MEMORY
WRITE/ERASE CYCLE
WE#-CONTROLLED WRITE/ERASE
CE#
A0-A20
OE#
DQ0-DQ7
tWC
tWED1, 2
WE#
RP#
V
IH
V
IL
tRS
A
IN
V
PP
V
IH
V
IL
tCH
tCS
V
PPH1
V
IL
V
PPH2
tAS
tAH
tWP
tWPH
tDS
tDH
CMD
in
CMD/
Data-in
CMD
in
WRITE SETUP or
ERASE SETUP
input
WRITE or ERASE
executed, status register
checked for completion
Command for next
operation issued
tDH
tDS
WRITE or block
address asserted, and
WRITE data or ERASE
CONFIRM
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
tWR
Note 1
tAS
tAH
RY/BY#
tWB
tRYBY
V
OH
V
OL
V
HH
tVPS
tVPH
[5V V
PP
]
[12V V
PP
]
Status
(SR7=1)
Status
(SR7=0)
DON’T CARE
t
VPS
2
t
RS
t
VPH
2
t
RYBY
t
WB
t
WED1
t
WED2
t
WR
100
1,000
0
90
200
6
600
0
ns
ns
ns
ns
ns
μs
ms
ns
TIMING PARAMETERS
-9
SYMBOL
t
WC
t
WPH
t
WP
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
CS
t
CH
MIN
90
25
50
40
5
40
5
0
0
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
-9
SYMBOL
MIN
UNITS
NOTE:
1. Address inputs are “Don’t Care” but must be held stable.
2. Measured with V
PP
= V
PPH
= 5V.
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PDF描述
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MT28F128J3BS-12 MET 功能描述:IC FLASH 128MBIT 120NS 64FBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:Q2841869
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