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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRF8S8260HSR5 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, NI-880S, CASE 465C-02, 2 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 13/14頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 576K |
| 代理商： | MRF8S8260HSR5 |
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8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S8260HR3 MRF8S8260HSR3
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD =28 Vdc,IDQ = 1500 mA, Pulsed CW, 10 μsec(on), 10% Duty Cycle
59
56
53
60.5
57.5
48.5
P out
,O
UT
PU
T
POWER
(d
Bm)
NOTE: Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 28 V
54.5
62
28
63.5
51.5
50
29.5
Ideal
Actual
880 MHz
895 MHz
47
865 MHz
851 MHz
895 MHz
880 MHz
865 MHz
31 32.5 34 35.5 37 38.5
40 41.5 43 44.5
f
(MHz)
P1dB
P3dB
Watts
dBm
Watts
dBm
851
359
55.5
482
56.8
865
366
55.6
485
56.9
880
362
55.6
477
56.8
895
365
55.6
478
56.8
Test Impedances per Compression Level
f
(MHz)
Zsource
Zload
851
P1dB
1.46 -- j2.70
3.02 + j0.04
865
P1dB
1.85 -- j3.04
2.92 + j0.03
880
P1dB
2.20 -- j3.31
2.85 + j0.70
895
P1dB
2.53 -- j3.58
2.50 + j0.76
Figure 10. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF8S8260HR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S8260HSR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S9120NR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S9202NR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S9220HSR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF8S9100HR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 900MHZ 100W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8S9100HR3_10 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
| MRF8S9100HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 900MHZ 100W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8S9100HSR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 900MHZ 100W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8S9100HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 900MHZ 100W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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