型號(hào): | MR0A08AYS35 |
廠商: | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 |
英文描述: | 64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
中文描述: | 64K的x 16位的3.3V異步磁阻隨機(jī)存取內(nèi)存 |
文件頁(yè)數(shù): | 8/20頁(yè) |
文件大?。?/td> | 148K |
代理商: | MR0A08AYS35 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MR0A16AYS35 | 64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
MR0S08AYS35 | 64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
MR0S16AYS35 | 64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
MR1A16AYS35 | 64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
MR1S08AYS35 | 64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MR0A08BCMA35 | 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
MR0A08BCMA35R | 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
MR0A08BCSO35 | 功能描述:NVRAM 3.3V 1Mb (128Kx8) MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
MR0A08BCSO35R | 功能描述:NVRAM 3.3V 1Mb (128Kx8) MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
MR0A08BCYS35 | 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |