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參數資料
| 型號： | MR0A08AYS35 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | 64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
| 中文描述： | 64K的x 16位的3.3V異步磁阻隨機存取內存 |
| 文件頁數： | 14/20頁 |
| 文件大小： | 148K |
| 代理商： | MR0A08AYS35 |
MR0A16A Advanced Information Data Sheet, Rev. 0
14
Freescale Semiconductor
Timing Specifications
Figure 8. Write Cycle 3 (LB/UB Controlled)
t
AVAV
t
BHAX
A (ADDRESS)
DATA VALID
E (CHIP ENABLE)
W(WRITE ENABLE)
LB,UB (BYTE ENABLE)
Q (DATA OUT)
D (DATA IN)
Hi-Z
Hi-Z
t
AVBL
t
BLEH
t
BLWH
t
BHDX
t
DVBH
t
AVBH
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MR0A16AYS35 | 64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
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| MR1A16AYS35 | 64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| MR0A08BCMA35R | 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數據總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| MR0A08BCSO35 | 功能描述:NVRAM 3.3V 1Mb (128Kx8) MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數據總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| MR0A08BCSO35R | 功能描述:NVRAM 3.3V 1Mb (128Kx8) MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數據總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| MR0A08BCYS35 | 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數據總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
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