參數(shù)資料
型號： MMDF3N02HDR2
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Power MOSFET 3 Amps, 20 Volts N-Channel SO-, DuaL
中文描述： 3.8 A, 20 V, 0.09 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 751-07, SOP-8
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大小： 134K
代理商： MMDF3N02HDR2
MMDF3N02HD
http://onsemi.com
3
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
3.9 V
R
(
R
0
2
4
6
VDS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On–Region Characteristics
ID
1
1.4
1.8
3.4
0
2
4
6
ID
VGS, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0
1
2
3
4
10
0
0.2
0.4
0.6
0
1
2
3
4
6
0.05
0.06
0.07
0.08
VGS, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On–Resistance versus
Gate–To–Source Voltage
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On–Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
0.6
1
1.2
1.4
1.6
0
4
8
20
1
100
1000
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 5. On–Resistance Variation with
Temperature
VDS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain–To–Source Leakage
Current versus Voltage
I
VDS
≥
10 V
TJ = 100
°
C
25
°
C
-55
°
C
TJ = 25
°
C
VGS = 0 V
ID = 1.5 A
TJ = 25
°
C
VGS = 4.5 V
VGS = 10 V
ID = 1.5 A
2.2
2.6
3
5
6
7
8
9
5
10 V
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ = 125
°
C
0.8
10
12
16
25
°
C
100
°
C
R
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.4
1
1.2
1.6
1.8
2
1
3.7 V
3.1 V
2.7 V
2.9 V
VGS = 10 V
4.5 V
3.3 V
3.5 V
2.5 V
TJ = 25
°
C
5
3
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MMDF3N03HD 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 3 Amps, 30 Volts
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