參數(shù)資料
型號(hào)： MMDF3N02HDR2
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Power MOSFET 3 Amps, 20 Volts N-Channel SO-, DuaL
中文描述： 3.8 A, 20 V, 0.09 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 751-07, SOP-8
文件頁數(shù)： 10/12頁
文件大小： 134K
代理商： MMDF3N02HDR2
MMDF3N02HD
http://onsemi.com
10
PACKAGE DIMENSIONS
STYLE 11:
PIN 1.
SOURCE 1
GATE 1
SOURCE 2
GATE 2
DRAIN 2
DRAIN 2
DRAIN 1
DRAIN 1
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
SEATING
PLANE
1
4
5
8
N
J
X 45
K
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSION A AND B DO NOT INCLUDE MOLD
PROTRUSION.
4. MAXIMUM MOLD PROTRUSION 0.15 (0.006) PER
SIDE.
5. DIMENSION D DOES NOT INCLUDE DAMBAR
PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR
PROTRUSION SHALL BE 0.127 (0.005) TOTAL IN
EXCESS OF THE D DIMENSION AT MAXIMUM
MATERIAL CONDITION.
A
B
S
D
H
C
0.10 (0.004)
DIM
A
B
C
D
G
H
J
K
M
N
S
MIN
4.80
3.80
1.35
0.33
MAX
5.00
4.00
1.75
0.51
MIN
0.189
0.150
0.053
0.013
MAX
0.197
0.157
0.069
0.020
INCHES
MILLIMETERS
1.27 BSC
0.10
0.19
0.40
0
0.25
5.80
0.050 BSC
0.004
0.007
0.016
0
0.010
0.228
0.25
0.25
1.27
8
0.50
6.20
0.010
0.010
0.050
8
0.020
0.244
–X–
–Y–
G
M
Y
M
0.25 (0.010)
–Z–
Y
M
0.25 (0.010)
Z
S
X
S
M
XXXXXX
ALYW
SO–8
CASE 751–07
ISSUE V
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PDF描述
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參數(shù)描述
MMDF3N02HDR2G 功能描述:MOSFET NFET SO8D 20V 3.8A 90mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MMDF3N03HD 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 3 Amps, 30 Volts
MMDF3N03HDR2 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
MMDF3N04HD 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 3 Amps, 40 Volts
MMDF3N04HDR2 功能描述:MOSFET 40V 3A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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