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參數(shù)資料
| 型號： | MJE16204 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 6 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | CASE 221A-09, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/12頁 |
| 文件大小： | 123K |
| 代理商： | MJE16204 |
MJE16204
http://onsemi.com
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Notes
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE18002D2AS | 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18002D2DW | 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18002D2BG | 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18002D2AU | 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18002D2BU | 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJE170 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE170G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE170STU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE171 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 60V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE171_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Plastic Silicon Power Transistors 40 − 60 − 80 VOLTS 12.5 WATTS |
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