型號(hào): | MJD45H11 |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | Complementary Power Transistors(互補(bǔ)功率晶體管) |
中文描述: | 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
封裝: | PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3 |
文件頁(yè)數(shù): | 6/7頁(yè) |
文件大?。?/td> | 76K |
代理商: | MJD45H11 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
MJD50 | High Voltage Power Transistors(高電壓功率晶體管) |
MJE170 | Complementary Plastic Silicon Power Transistors(互補(bǔ)型硅功率晶體管) |
MJE180 | Complementary Plastic Silicon Power Transistors(互補(bǔ)型硅功率晶體管) |
MJE253 | Complementary Silicon Power Plastic Transistors(互補(bǔ)型硅功率晶體管) |
MJE350 | Plastic Medium Power PNP Silicon Transistor(0.5A,300V,20W,塑料中等功率硅PNP晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
MJD45H11_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Epitaxial Silicon Transistor |
MJD45H11-001 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MJD45H11-001G | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Power Transistors |
MJD45H11-1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS |
MJD45H11-1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |