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參數(shù)資料
| 型號： | M58WR128EBZB |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 128 Mbit 8Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 128兆位和8Mb × 16，多銀行，突發(fā)1.8V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 51/87頁 |
| 文件大?。?/td> | 1113K |
| 代理商： | M58WR128EBZB |
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Table 25. VFBGA60 12.5x12mm - 8x7 ball array, 0.75mm pitch, Package Mechanical Data
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
1.000
0.0394
A1
0.200
0.0079
A2
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0.0260
b
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0.320
0.420
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0.0126
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D
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12.400
12.600
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0.4961
D1
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D2
6.750
0.2657
ddd
0.100
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E
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12.100
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0.4685
0.4764
E1
4.500
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E2
6.000
0.2362
e
0.750
–
0.0295
–
FD
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0.1427
FD1
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0.1132
FE
3.750
0.1476
FE1
3.000
0.1181
SD
0.375
0.0148
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M5913 | COMBINED SINGLE CHIP PCM CODEC AND FILTER |
| M5913B1 | COMBINED SINGLE CHIP PCM CODEC AND FILTER |
| M5F78M05 | 5 V FIXED POSITIVE REGULATOR, PSFM3 |
| M5F78M06 | 6 V FIXED POSITIVE REGULATOR, PSFM3 |
| M5F78M08 | 8 V FIXED POSITIVE REGULATOR, PSFM3 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M58WR128ET | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit 8Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR128ET10ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit 8Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR128ET70ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit 8Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR128ET80ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit 8Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR128ETZB | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit 8Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
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