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參數(shù)資料
| 型號： | M30245MC-XXXGP |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | 16-BIT, MROM, 16 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 14 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, LQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 116/268頁 |
| 文件大?。?/td> | 2520K |
| 代理商： | M30245MC-XXXGP |
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M30245 Group
CPU Rewrite Mode
Rev.2.00
Oct 16, 2006
page 200 of 264
REJ03B0005-0200
1. Read Array Command (FF16)
The read array mode is entered by writing the command code "FF16" in the first bus cycle. When an even
address that is to be read is input in one of the bus cycles that follow, the content of the specified address is
read out at the data bus (D0-D15), 16 bits at a time.
The read array mode is retained until another command is written.
2. Read Status Register Command (7016)
When the command code "7016" is written in the first bus cycle, the content of the status register is read out at
the data bus (D0-D7) by a read in the second bus cycle.
3. Clear Status Register Command (5016)
This command clears the bits SR3 to SR5 of the status register after being set. These bits indicate that opera-
tion has ended in an error. To use this command, write the command code "5016" in the first bus cycle.
4. Page Program Command (4116)
Page program allows for high-speed programming in units of 256 bytes. Page program operation starts when
the command code "4116" is written in the first bus cycle. In the second bus cycle through the 129th bus cycle,
the write data is sequentially written 16 bits at a time. At this time, the addresses A0-A7 need to be incremented
by 2 from “0016” to "FE16." When the system finishes loading the data, it starts an auto write operation (data
program and verify operation). Figure 1.152 shows an example of a page program flowchart.
The completed auto write operation can be confirmed by reading the status register or the flash memory
control register 0. At the same time the auto write operation starts, the read status register mode is automati-
cally entered, so the content of the status register can be read out. The status register bit 7 (SR7) is set to 0 at
the same time the auto write operation starts and is returned to 1 when the auto write operation has been
completed. In this case, the read status register mode remains active until the Read Array command (FF16) or
Read Lock Bit Status command (7116) is written or the flash memory is reset using its reset bit.
The RY/BY status flag of the flash memory control register 0 is "0" during auto write operation and "1" when the
auto write operation and status register bit 7 have been completed.
After the auto write operation is completed, the status register can read out the results of the auto write opera-
tion. Refer to the status register section for more details.
Each block of the flash memory can be write protected by using a lock bit. Refer to the data protect function
section for more details. Additional writes to the pages previously programmed are prohibited.
n = FE16
Start
Write 4116
n = 0
Write address n and
data n
RY/BY status flag
= 1?
Check full status
Page program
completed
n = n + 2
NO
YES
NO
YES
Figure 1.152. Page program flowchart
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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| M30245MG-XXXFP | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:SINGLE-CHIP 16-BIT CMOS MICROCOMPUTER |
| M30245MG-XXXGF | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:SINGLE-CHIP 16-BIT CMOS MICROCOMPUTER |
| M30245MG-XXXGP | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:SINGLE-CHIP 16-BIT CMOS MICROCOMPUTER |
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