參數(shù)資料
型號(hào)： LTC1693-1
廠商： Linear Technology Corporation
英文描述： High Speed Dual N-Channel MOSFET Drivers(高速，雙路P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)器（2個(gè)同相驅(qū)動(dòng)器）)
中文描述： 高速雙N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器（高速，馬鞍山雙路P溝道場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)器（2個(gè)同相驅(qū)動(dòng)器））
文件頁(yè)數(shù)： 3/20頁(yè)
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代理商： LTC1693-1
3
LTC1693
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
temperature range, otherwise specifications are at T
A
= 25
°
C. V
CC
= 12V, unless otherwise noted.
SYMBOL
Switching Timing (Note 4)
t
RISE
Output Rise Time
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
C
OUT
= 1nF
C
OUT
= 4.7nF
C
OUT
= 1nF
C
OUT
= 4.7nF
C
OUT
= 1nF
C
OUT
= 4.7nF
C
OUT
= 1nF
C
OUT
= 4.7nF
G
G
17.5
48.0
16.5
42.0
38.0
40.0
32
35
35
85
35
75
70
75
70
75
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
FALL
Output Fall Time
G
G
t
PLH
Output Low-High Propagation Delay
G
G
t
PHL
Output High-Low Propagation Delay
G
G
Driver Isolation
R
ISO
GND1-GND2 Isolation Resistance
LTC1693-1, LTC1693-2 GND1-to-GND2 Voltage = 75V
G
0.075
1
G
Note 1:
Absolute Maximum Ratings are those values beyond which the life
of a device may be impaired.
Note 2:
Supply current is the total current for both drivers.
Note 3:
Only the LTC1693-3 has a PHASE pin.
Note 4:
All AC timing specificatons are guaranteed by design and are not
production tested.
Note 5:
Only applies to the LTC1693-1 and LTC1693-2.
TYPICAL PERFOR U
IN Threshold Voltage vs V
CC
TEMPERATURE (
°
C)
–50
I
1.2
1.3
1.4
25
75
1693 G03
1.1
1.0
–25
0
50
100
125
0.9
0.8
V
CC
= 12V
V
IH
-V
IL
IN Threshold Hysteresis
vs Temperature
IN Threshold Voltage
vs Temperature
V
CC
(V)
5
2.00
2.25
2.75
8
10
1693 G01
1.75
1.50
6
7
9
11
12
1.25
1.00
2.50
I
V
IH
V
IL
T
A
= 25
°
C
TEMPERATURE (
°
C)
–50
I 2.75
1.25
25
1693 G02
2.00
1.50
–25
0
50
1.00
3.00
2.50
V
IH
V
IL
2.25
1.75
75
100
125
V
CC
= 12V
The
G
denotes specifications which apply over the full operating
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LTC1693-2 High Speed Dual N-Channel MOSFET Drivers(高速，雙路P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)器（1個(gè)同相和1個(gè)反相驅(qū)動(dòng)器）)
LTC1693-3 High Speed Single N-Channel MOSFET Drivers(高速，單路P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)器)
LTC1694 SMBus/I 2 C Accelerator(SMBus/I 2 C加速器)
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LTC1699-80 SMBus VID Voltage Programmers(SMBus 接口VID電壓編程器)
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參數(shù)描述
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LTC1693-1CS8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR N-CH DUAL 8-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨(dú)立 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1381 (CN2011-ZH PDF)
LTC1693-1CS8#TR 功能描述:IC DRVR MOSF DUAL N-CH HS 8SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1693-1CS8#TRPBF 功能描述:IC MOSFET DVR N-CH DUAL 8-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1693-1IS8 功能描述:IC MOSFET DVR N-CH DUAL 8-SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
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