參數(shù)資料
型號(hào): LTC1693-1
廠商: Linear Technology Corporation
英文描述: High Speed Dual N-Channel MOSFET Drivers(高速,雙路P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)器(2個(gè)同相驅(qū)動(dòng)器))
中文描述: 高速雙N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器(高速,馬鞍山雙路P溝道場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)器(2個(gè)同相驅(qū)動(dòng)器))
文件頁(yè)數(shù): 11/20頁(yè)
文件大?。?/td> 259K
代理商: LTC1693-1
11
LTC1693
TYPICAL APPLICATIO
N
S
T
P
I
P
B
V
I
C
T
I
T
S
1
1
1
1
1
1
1
9
1
2
3
4
5
6
7
8
B
P
L
O
L
I
S
S
V
F
S
+
U
L
I
G
I
G
8
7
6
5
1
2
3
4
V
C
O
V
C
O
U
L
C
1
C
1
5
C
0
μ
F
5
C
1
1
C
0
μ
F
1
C
0
μ
F
X
T
9
μ
H
9
×
T
1
μ
H
3
T
3
T
3
T
N
U
1
1
3
2
6
7
8
9
4
5
C
1
5
C
0
μ
F
2
C
I
3
μ
F
6
+
V
I
5
G
C
0
μ
F
C
1
5
N
R
4
R
1
R
F
2
1
R
0
R
1
R
1
5
R
4
2
2
G
R
3
1
C
A
2
μ
F
3
D
M
L
1
μ
H
D
1
5
R
1
1
R
F
4
0
R
F
2
0
R
1
Q
I
Q
M
R
X
2
1
+
C
I
3
μ
F
6
+
C
1
C
0
μ
F
C
0
μ
F
1
C
1
5
C
0
μ
F
D
M
D
M
+
I
C
B
1
μ
F
6
+
C
B
1
μ
F
6
T
F
S
A
×
+
C
B
3
μ
F
1
+
+
2
1
8
7
3
4
6
U
L
+
C
A
2
μ
F
3
+
C
A
2
μ
F
3
+
D
M
1
+
2
1
8
7
3
4
6
U
L
R
1
R
F
4
1
S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LTC1693-2 High Speed Dual N-Channel MOSFET Drivers(高速,雙路P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)器(1個(gè)同相和1個(gè)反相驅(qū)動(dòng)器))
LTC1693-3 High Speed Single N-Channel MOSFET Drivers(高速,單路P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)器)
LTC1694 SMBus/I 2 C Accelerator(SMBus/I 2 C加速器)
LTC1695 SMBus/I 2 C Fan Speed Controller in SOT-23(SMBus/I 2 C 風(fēng)扇速度控制器(SOT-23封裝))
LTC1699-80 SMBus VID Voltage Programmers(SMBus 接口VID電壓編程器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
LTC1693-1CS8 功能描述:IC MOSFET DVR N-CH DUAL 8-SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大(自引導(dǎo)啟動(dòng)):- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1693-1CS8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR N-CH DUAL 8-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:95 系列:- 配置:高端和低端,獨(dú)立 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大(自引導(dǎo)啟動(dòng)):600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1381 (CN2011-ZH PDF)
LTC1693-1CS8#TR 功能描述:IC DRVR MOSF DUAL N-CH HS 8SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大(自引導(dǎo)啟動(dòng)):- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1693-1CS8#TRPBF 功能描述:IC MOSFET DVR N-CH DUAL 8-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大(自引導(dǎo)啟動(dòng)):- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1693-1IS8 功能描述:IC MOSFET DVR N-CH DUAL 8-SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大(自引導(dǎo)啟動(dòng)):- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063