參數(shù)資料
型號(hào)： LTC1693-1
廠商： Linear Technology Corporation
英文描述： High Speed Dual N-Channel MOSFET Drivers(高速，雙路P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)器（2個(gè)同相驅(qū)動(dòng)器）)
中文描述： 高速雙N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器（高速，馬鞍山雙路P溝道場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)器（2個(gè)同相驅(qū)動(dòng)器））
文件頁(yè)數(shù)： 20/20頁(yè)
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代理商： LTC1693-1
20
LTC1693
LINEAR TECHNOLOGY CORPORATION 1999
1693fa LT/TP 1000 2K REV A PRINTED IN USA
PART NUMBER
LTC1154
LTC1155
DESCRIPTION
High Side Micropower MOSFET Drivers
Dual Micropower High/Low Side Drivers with
Internal Charge Pump
Dual Micropower High/Low Side Drivers with
Internal Charge Pump
3.3V Dual Micropower High/Low Side Driver
Half/Full Bridge N-Channel Power MOSFET Driver
Quad Protected High Side MOSFET Driver
Triple 1.8V to 6V High Side MOSFET Driver
High Power Synchronous DC/DC Controller
High Efficiency, Low Noise Current Mode
Step-Down DC/DC Controller
COMMENTS
Internal Charge Pump, 4.5V to 48V Supply Range, t
ON
= 80
μ
s, t
OFF
= 28
μ
s
4.5V to 18V Supply Range
LTC1156
4.5V to 18V Supply Range
LTC1157
LT
1160/LT1162
LT1161
LTC1163
LT1339
LTC1435
3.3V or 5V Supply Range
Dual Driver with Topside Floating Driver, 10V to 15V Supply Range
8V to 48V Supply Range, t
ON
= 200
μ
s, t
OFF
= 28
μ
s
1.8V to 6V Supply Range, t
ON
= 95
μ
s, t
OFF
= 45
μ
s
Current Mode Operation Up to 60V, Dual N-Channel Synchronous Drive
3.5V to 36V Operation with Ultrahigh Efficiency, Dual N-Channel MOSFET
Synchronous Drive
RELATED PARTS
Linear Technology Corporation
1630 McCarthy Blvd., Milpitas, CA 95035-7417
(408) 432-1900
G
FAX: (408) 434-0507
G
www.linear-tech.com
Isolated Push-Pull DC/DC Converter
OUTPUT CURRENT (A)
0
0
O
2
6
8
10
14
0.1
0.5
0.7
1693 F05b
4
12
0.4
0.9 1.0
0.2 0.3
0.6
0.8
V
CC
= 5V
OUTPUT CURRENT (A)
0
E
100
90
80
70
60
50
40
30
20
0.8
1693 F05c
0.2
0.4
0.6
1.0
0.7
0.1
0.3
0.5
0.9
V
CC
= 5V
Output Voltage
Efficiency
TYPICAL APPLICATIO
N
U
74HC14
V
CC
= 5V
V
CC
= 5V
14
C2
0.1
μ
F
C1
390pF
C3
0.1
μ
F
C4
1
μ
F
R1
6.2k
7
12
13
LTC1693-2
6
4
T1: PHILIPS CPHS-EFD20-1S-10P
FIRST WIND T1A AND T1C BIFILAR,
THEN WIND T1E AND T1F BIFILAR,
THEN WIND T1B AND T1D BIFILAR
5
1693 F05a
3
LTC1693-2
8
2
Q1
Si4410
R2
10
T1A
24T
#32
V
OUT
12V
1A
C5
2.2nF
100V
×
2
Q2
Si4410
7
V
CC
= 5V
1
74HC74
PRESET
CLR
GND
D
7
8
9
14
13
10
12
11
Q
Q
C6
330
μ
F
6.3V
C9
270
μ
F
25V
×
3
R3
10
D1
MBR340
C7
2.2nF
100V
R4
10
C8
2.2nF
100V
D2
MBR340
L1
1
μ
H
+
+
2
1
T1D
24T
#32
4
3
T1B
24T
#32
T1E
24T
#28
2
1
8
9
T1F
24T
#28
8
9
T1C
24T
#32
4
3
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PDF描述
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參數(shù)描述
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LTC1693-1CS8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR N-CH DUAL 8-SOIC RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨(dú)立 輸入類(lèi)型:非反相 延遲時(shí)間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1381 (CN2011-ZH PDF)
LTC1693-1CS8#TR 功能描述:IC DRVR MOSF DUAL N-CH HS 8SOIC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類(lèi)型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱(chēng):835-1063
LTC1693-1CS8#TRPBF 功能描述:IC MOSFET DVR N-CH DUAL 8-SOIC RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類(lèi)型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱(chēng):835-1063
LTC1693-1IS8 功能描述:IC MOSFET DVR N-CH DUAL 8-SOIC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類(lèi)型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱(chēng):835-1063
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