參數(shù)資料
型號： LTC1693-1
廠商： Linear Technology Corporation
英文描述： High Speed Dual N-Channel MOSFET Drivers(高速，雙路P溝道MOS場效應(yīng)管驅(qū)動器（2個同相驅(qū)動器）)
中文描述： 高速雙N溝道MOSFET驅(qū)動器（高速，馬鞍山雙路P溝道場效應(yīng)管驅(qū)動器（2個同相驅(qū)動器））
文件頁數(shù)： 16/20頁
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代理商： LTC1693-1
16
LTC1693
TYPICAL APPLICATIO
N
S
Charge Pump Doubler
Output Voltage
Efficiency
3
4
8
V
CC
= 5V
V
CC
= 5V
C1
680pF
C2
1
μ
F
C3
1
μ
F
+
C
L
47
μ
F
1693 TA07a
V
OUT
R1, C1 SET THE OSCILLATION FREQUENCY AT 150kHz
AND THE DUTY CYCLE AT 35%
R1
11k
1%
D2
1N5817
D1
1N5817
7
1
LTC1693-3
OUTPUT CURRENT (mA)
0
O
4
8
12
2
6
10
20
40
60
80
1693 TA07b
100
10
0
30
50
70
90
V
CC
= 5V
OUTPUT CURRENT (mA)
0
E
60
80
100
40
1693 TA07c
40
20
0
10 20 30
50
90
60 70 80
100
V
CC
= 5V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LTC1693-2 High Speed Dual N-Channel MOSFET Drivers(高速，雙路P溝道MOS場效應(yīng)管驅(qū)動器（1個同相和1個反相驅(qū)動器）)
LTC1693-3 High Speed Single N-Channel MOSFET Drivers(高速，單路P溝道MOS場效應(yīng)管驅(qū)動器)
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LTC1699-80 SMBus VID Voltage Programmers(SMBus 接口VID電壓編程器)
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參數(shù)描述
LTC1693-1CS8 功能描述:IC MOSFET DVR N-CH DUAL 8-SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1693-1CS8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR N-CH DUAL 8-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨(dú)立 輸入類型:非反相 延遲時間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1381 (CN2011-ZH PDF)
LTC1693-1CS8#TR 功能描述:IC DRVR MOSF DUAL N-CH HS 8SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1693-1CS8#TRPBF 功能描述:IC MOSFET DVR N-CH DUAL 8-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1693-1IS8 功能描述:IC MOSFET DVR N-CH DUAL 8-SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
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