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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LD242 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | GaAs Infrared Emitter |
| 中文描述： | 砷化鎵紅外發(fā)射器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 39K |
| 代理商： | LD242 |
Semiconductor Group
5
1998-07-15
LD 242
Relative spectral emission
I
rel
=
f
(
λ
)
Forward current
I
F
=
f
(
V
E
)
OHR01938
λ
rel
Ι
0
880
920
960
1000
nm
1060
20
40
60
80
%
100
V
OHR01040
F
F
Ι
1
1
10
0
10
-1
10
10
-2
A
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
typ.
max.
V
Radiant intensity
Single pulse,
t
p
= 20
μ
s
Permissible pulse handling capability
I
F
=
f
(
τ
),
T
C
= 25
°
C,
duty cycle
D
= parameter
I
e
100 mA =
f
(
I
F
)
Ι
OHR01037
F
-1
10
10
0
1
10
2
10
10
-2
-1
10
0
10
A
10
1
Ι
e
Ι
e
(100 mA)
τ
OHR01937
10
-5
s
10
2
Ι
F
mA
10
-4
10
-3
10
-2
10
0
10
3
10
4
5
5
DC
0.5
0.05
0.1
0.02
0.01
0.005
D =
F
Ι
T
P
t
=
D
P
t
T
0.2
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
T
OHR00971
A
0
F
Ι
0
20
40
60
80
100
C
50
100
150
200
250
mA
300
,T
L
= 160 K/W
thJL
R
R
thJA
= 450 K/W
Radiation characteristics
I
rel
=
f
(
)
40
OHR01877
0
20
40
60
80
100
120
0.4
0.6
0.8
1.0
100
90
80
70
60
50
0
10
20
30
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LD242ME7800 | Optoelectronic |
| LD242-4 | Optoelectronic |
| LD242-2 | GaAs Infrared Emitter |
| LD242-3 | GaAs Infrared Emitter |
| LD242E7800 | GaAs Infrared Emitter |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LD242-2 | 制造商:OSRAM 制造商全稱:OSRAM 功能描述:GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant |
| LD242-2/3 | 制造商:OSRAM 功能描述:Q62703Q4749_IRED_TR_RO 制造商:OSRAM 功能描述:IR Emitter,950 nm,TO-18,40deg,LD242-2/3 |
| LD242-3 | 制造商:OSRAM 制造商全稱:OSRAM 功能描述:GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant |
| LD242-4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Optoelectronic |
| LD242E7800 | 制造商:OSRAM 功能描述: 制造商:OSRAM 功能描述:IR Emitter,950 nm,TO-18 Metal Can,40deg |
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