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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LD242 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | GaAs Infrared Emitter |
| 中文描述： | 砷化鎵紅外發(fā)射器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 39K |
| 代理商： | LD242 |
LD 242
Semiconductor Group
2
1998-07-15
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
T
op
;
T
stg
Wert
Value
Einheit
Unit
°
C
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
– 40 ... + 80
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlastrom,
T
C
= 25
°
C
Forward current
Stostrom,
τ
≤
10
μ
s,
D
= 0
Surge current
Verlustleistung,
T
C
= 25
°
C
Power dissipation
V
R
5
V
I
F
300
mA
I
FSM
3
A
P
tot
470
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
R
thJC
450
160
K/W
K/W
Kennwerte
(
T
A
= 25
°
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlnge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Spektraler Bandbreite bei 50 % von
I
max
Spectral bandwidth at 50 % of
I
max
I
F
= 100 m A,
t
p
= 20 ms
Abstrahlwinkel
Half angle
950
nm
λ
55
nm
±
40
Grad
deg.
mm
2
Aktive Chipflche
Active chip area
A
0.25
Abmessungen der aktive Chipflche
Dimension of the active chip area
L
×
B
L
×
W
H
0.5
×
0.5
mm
Abstand Chipoberflche bis Linsenscheitel
Distance chip surface to lens top
0.3 ... 0.7
mm
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LD242ME7800 | Optoelectronic |
| LD242-4 | Optoelectronic |
| LD242-2 | GaAs Infrared Emitter |
| LD242-3 | GaAs Infrared Emitter |
| LD242E7800 | GaAs Infrared Emitter |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LD242-2 | 制造商:OSRAM 制造商全稱:OSRAM 功能描述:GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant |
| LD242-2/3 | 制造商:OSRAM 功能描述:Q62703Q4749_IRED_TR_RO 制造商:OSRAM 功能描述:IR Emitter,950 nm,TO-18,40deg,LD242-2/3 |
| LD242-3 | 制造商:OSRAM 制造商全稱:OSRAM 功能描述:GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant |
| LD242-4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Optoelectronic |
| LD242E7800 | 制造商:OSRAM 功能描述: 制造商:OSRAM 功能描述:IR Emitter,950 nm,TO-18 Metal Can,40deg |
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