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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LD242 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | GaAs Infrared Emitter |
| 中文描述： | 砷化鎵紅外發(fā)射器 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 39K |
| 代理商： | LD242 |
Semiconductor Group
3
1998-07-15
LD 242
Schaltzeiten,
I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Switching times,
I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Kapazitt
Capacitance
V
R
= 0 V
Durchlaspannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
μ
s
Sperrstrom,
V
R
= 5 V
Reverse current
t
r
,
t
f
1
μ
s
C
o
40
pF
V
F
V
F
I
R
1.3
(≤
1.5)
1.9
(≤
2.5)
0.01
(≤
1
)
V
V
μ
A
Gesamtstrahlungsflu
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
λ
peak
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
λ
peak
,
I
F
= 100 mA
Φ
e
16
mW
TC
I
– 0.55
%/K
TC
V
– 1.5
mV/K
TC
λ
0.3
nm/K
Kennwerte
(
T
A
= 25
°
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LD242ME7800 | Optoelectronic |
| LD242-4 | Optoelectronic |
| LD242-2 | GaAs Infrared Emitter |
| LD242-3 | GaAs Infrared Emitter |
| LD242E7800 | GaAs Infrared Emitter |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LD242-2 | 制造商:OSRAM 制造商全稱:OSRAM 功能描述:GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant |
| LD242-2/3 | 制造商:OSRAM 功能描述:Q62703Q4749_IRED_TR_RO 制造商:OSRAM 功能描述:IR Emitter,950 nm,TO-18,40deg,LD242-2/3 |
| LD242-3 | 制造商:OSRAM 制造商全稱:OSRAM 功能描述:GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant |
| LD242-4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Optoelectronic |
| LD242E7800 | 制造商:OSRAM 功能描述: 制造商:OSRAM 功能描述:IR Emitter,950 nm,TO-18 Metal Can,40deg |
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