參數(shù)資料
型號: LD242-3
廠商: SIEMENS A G
元件分類: 紅外LED
英文描述: GaAs Infrared Emitter
中文描述: 4.2 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 950 nm
文件頁數(shù): 1/5頁
文件大?。?/td> 39K
代理商: LD242-3
Semiconductor Group
1
1998-07-15
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
Wesentliche Merkmale
G
GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
G
Kathode galvanisch mit Gehuseboden
verbunden
G
Hohe Zuverlssigkeit
G
Groer ffnungskegel
G
Gehusegleich mit BP 103, BPX 63,
SFH 464, SFH 483
G
Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQG
Anwendungen
G
IR-Fernsteuerungen und Tonübertragungen
G
Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Features
G
GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
G
Cathode is electrically connected to the case
G
High reliability
G
Wide beam
G
Same package as BP 103, BPX 63,
SFH 464, SFH 483
G
DIN humidity category in acc. with
DIN 40 040 GQG
Applications
G
IR remote control and sound transmission
G
Photointerrupters
LD 242
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
f
5.5
5.2
GET06625
Chip position
3.6
3.0
14.5
12.5
0.45
2
s
Approx. weight 0.5 g
1
2.7
09
11
11
09
Anode
Cathode (SFH 483)
(LD 242, BPX 63, SFH 464)
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehuse
Package
LD 242-2
Q62703-Q198
Bodenplatte nach 18 A3 DIN 41876 (TO-18), klares
Epoxy-Gieharz, linsenfrmig im 2.54-mm-Raster
(
1
/
10
’’)
Base plate as per 18 A3 DIN 41876 (TO-18), transpar-
ent epoxy resin lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm
(
1
/
10
’’)
LD 242-3
Q62703-Q199
LD 242 E7800
Q62703-Q3509
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LD242E7800 GaAs Infrared Emitter
LD2614444 INFRARED EMITTER SINGLE AND ARRAYS
LD261 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
LD261-4 Optoelectronic
LD261-5 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
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參數(shù)描述
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LD2-470-R 功能描述:固定電感器 47uH 1.64A 0.18ohms RoHS:否 制造商:AVX 電感:10 uH 容差:20 % 最大直流電流:1 A 最大直流電阻:0.075 Ohms 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 自諧振頻率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:6.6 mm x 4.45 mm