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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM48S8020B |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 8Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(4M x 8位 x 2組同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 4米× 8位× 2銀行同步DRAM（4米× 8位× 2組同步動(dòng)態(tài)RAM）的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 19/43頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 604K |
| 代理商： | KM48S8020B |
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CMOS SDRAM
DEVICE OPERATIONS - II
ELECTRONICS
REV. 3 Feb. '98
4. CAS Interrupt (II) : Read Interrupted by Write & DQM
*Note :
1. To prevent bus contention, there should be at least one gap between data in and data out.
D
1
D
2
RD
D
3
WR
D
0
D
1
D
2
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3
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0
D
1
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2
D
3
D
0
RD
WR
RD
WR
Hi-Z
Hi-Z
RD
WR
Q
0
D
1
D
2
D
3
D
0
Note 1
Hi-Z
(a) CL=2, BL=4
CLK
i) CMD
DQM
DQ
ii) CMD
DQM
DQ
iii) CMD
DQM
DQ
iv) CMD
DQM
DQ
(b) CL=3, BL=4
CLK
i) CMD
DQM
DQ
D
1
D
2
RD
D
3
WR
D
0
D
1
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2
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3
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0
D
1
D
2
D
3
D
0
RD
WR
RD
WR
D
1
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2
D
3
D
0
RD
WR
RD
WR
D
1
D
2
D
3
D
0
Hi-Z
Note 1
ii) CMD
DQM
DQ
iii) CMD
DQM
DQ
iii) CMD
DQM
DQ
iv) CMD
DQM
DQ
Q
0
Hi-Z
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM48S8030D | 64Mbit SDRAM 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM48S8030 | 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM48S8030C | 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM48V2004C | 2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(2M x 8位CMOS 動(dòng)態(tài)RAM(帶擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出)) |
| KM48C2004C | 2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(2M x 8位CMOS 動(dòng)態(tài)RAM(帶擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM48S8030 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM48S8030C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM48S8030CT-G/FA | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM48S8030D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64Mbit SDRAM 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM48V2000B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
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