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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K9E2G08U0M-YIB00 |
| 元件分類(lèi)： | PROM |
| 英文描述： | 256M X 8 FLASH 2.7V PROM, 30 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 17/38頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 888K |
| 代理商： | K9E2G08U0M-YIB00 |
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FLASH MEMORY
24
K9E2G08U0M
Preliminary
Multi-Plane Block Erase Operation into Plane 0~3 or Plane 4~7
Erase Setup Command
Erase Confirm Command
Read Multi-Plane
Status Command
Max. 4 times repeatable
60h
A9 ~ A27
I/O0~7
R/B
Address
60h
A9 ~ A27
60h
A9 ~ A27
60h
A9 ~ A27
D0h
71h
tBERS
* For Multi-Plane Erase operation, Block address to be erased should be repeated before "D0H" command.
Ex.) Four-Plane Block Erase Operation
CE
CLE
R/B
I/OX
WE
ALE
RE
60h
A17 ~ A24
A9 ~ A16
DOh
71h
I/O 0
Busy
tWB
tBERS
Page(Row)
Address
tWC
A25 ~ A27
I/O0=1 Error in Erase
I/O0=0 Successful Erase
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KA-59-281 | TNC CONNECTOR, PLUG |
| KA-91-02 | RF STRAIGHT ADAPTER |
| KA-91-16 | RF TEE ADAPTER |
| KA-99-24 | RF STRAIGHT ADAPTER |
| KA10R25 | 250 A, SILICON SURGE PROTECTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9F1208B0B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| K9F1208B0C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bits NAND Flash Memory |
| K9F1208B0C-P | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| K9F1208D0A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208D0A-P | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory |
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