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參數(shù)資料
| 型號： | JANTXV2N5415UA |
| 英文描述： | BJT |
| 中文描述： | 雙極型晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 8/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 103K |
| 代理商： | JANTXV2N5415UA |
MIL-PRF-19500/512E
16
NOTES:
1.
The rise time (tr) of the applied pulse shall be ≤ 2.0 ns, duty cycle ≤ 2 percent, and the generator source Z
shall be 50
.
2.
Sampling oscilloscope: ZIN ≥ 100 k; Cin ≤ 12 pF, rise time(tr) ≤ 5 ns.
FIGURE 6. Delay and rise time, test circuit.
NOTES:
1.
The rise time (tr) of the applied pulse shall be ≤ 20 ns, duty cycle ≤ 2 percent, and the generator source
impedance shall be 50
.
2.
Sampling oscilloscope: ZIN ≥ 100 k; Cin ≤ 12 pF, rise time(tr) ≤ 5 ns.
FIGURE 7. Storage and fall time, test circuit.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JANTXV2N5416UA | BJT |
| JANTXV2N5664 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-66 |
| JANTXV2N5665 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-66 |
| JANTXV2N5666 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-5 |
| JANTXV2N5666S | TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-39 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| JANTXV2N5416S | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT PNP 300V 1A 3-Pin TO-39 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:PNP TRANSISTOR (PNP) - Bulk |
| JANTXV2N5416U4 | 功能描述:TRANS PNP 300V 1A 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/485 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 50mA，10V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD，無引線 供應(yīng)商器件封裝:U4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| JANTXV2N5416UA | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:PNP TRANSISTOR UA LAW - Bulk |
| JANTXV2N5545 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
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