參數(shù)資料
型號: IXTT110N10P
廠商: IXYS CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: N-Channel Enhancement Mode
中文描述: 110 A, 100 V, 0.015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-268AA
封裝: TO-268, 3 PIN
文件頁數(shù): 5/5頁
文件大小: 578K
代理商: IXTT110N10P
2004 IXYS All rights reserved
IXTQ 110N10P
IXTT 110N10P
Fig . 13. M axim u m T r an s ie n t T h e r m al Re s is tan ce
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參數(shù)描述
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IXTT11P50 T/R 制造商:IXYS Corporation 功能描述:
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IXTT12N140 功能描述:MOSFET High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTT12N150 功能描述:MOSFET 1200V High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube