參數(shù)資料
型號(hào)： IXTT110N10P
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement Mode
中文描述： 110 A, 100 V, 0.015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-268AA
封裝： TO-268, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 578K
代理商： IXTT110N10P
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXTQ 110N10P
IXTT 110N10P
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by
one or moreof the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1 6,404,065 B1
6,306,728 B1 6,534,343
6,683,344
6,710,405B2
6,583,505
Fig. 11. Capacitance
100
1000
10000
0
5
10
15
V
DS
- Volts
20
25
30
35
40
C
Ciss
Coss
Crss
f = 1MHz
Fig. 10. Gate Charge
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
20
40
60
80
100
120
Q
G
- nanoCoulombs
V
G
V
DS
= 50V
I
D
= 55A
I
G
= 10mA
Fig. 7. Input Admittance
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
4
5
6
7
8
9
10
11
V
G S
- Volts
I
D
T
J
= -40
o
C
25
o
C
150
o
C
Fig. 8. Transconductance
0
10
20
30
40
50
60
70
0
50
100
150
200
250
300
I
D
- Amperes
g
f
T
J
= -40
o
C
25
o
C
150
o
C
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
0
50
100
150
200
250
300
350
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
V
S D
- Volts
I
S
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
Fig. 12. Forward-Bias
Safe Operating Area
10
100
1000
1
10
100
1000
V
D S
- Volts
I
D
100μs
1ms
DC
T
J
= 175
o
C
T
C
= 25
o
C
R
DS(on)
Limit
10ms
25μs
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IXTT12N140 功能描述:MOSFET High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTT12N150 功能描述:MOSFET 1200V High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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