參數(shù)資料
型號： IXTQ69N30P
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PolarHT Power MOSFET
中文描述： 69 A, 300 V, 0.049 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 107K
代理商： IXTQ69N30P
204 IXYS All rights reserved
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Resistance
0.01
0.10
1.00
1
10
100
1000
Pulse Width - milliseconds
R
(
(
IXTQ 69N30P
IXTT 69N30P
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTT69N30P PolarHT Power MOSFET
IXTR200N10P PolarTM HiPerFET Power MOSFET
IXTT11P50 A/D Converter (A-D) IC; Resolution (Bits):12; ADC Sample Rate:100kSPS; Input Channels Per ADC:1; DNL +/-:0.5LSB; INL +/-:0.5LSB; Data Interface:Serial, Parallel; Package/Case:44-PLCC; Leaded Process Compatible:No
IXTT10P50 Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTT75N10 MegaMOS FET
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參數(shù)描述
IXTQ72N20T 功能描述:MOSFET 72 Amps 200V 33 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ72N30T 功能描述:MOSFET 72 Amps 300V 52 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ74N15T 功能描述:MOSFET 74 Amps 150V 27 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ74N20P 功能描述:MOSFET 74 Amps 200V 0.034 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ75N10P 功能描述:MOSFET 75 Amps 100V 0.025 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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