參數(shù)資料
型號： IXTQ69N30P
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PolarHT Power MOSFET
中文描述： 69 A, 300 V, 0.049 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 107K
代理商： IXTQ69N30P
204 IXYS All rights reserved
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
0
2
4
6
8
V
D S
- Volts
10
12
14
16
18
20
I
D
V
GS
= 10V
9V
5V
6V
7V
8V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
0
10
20
30
40
50
60
70
0
1
2
3
V
D S
- Volts
4
5
6
7
8
I
D
V
GS
= 10V
8V
7V
5V
6V
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
0
10
20
30
40
50
60
70
0
0.5
1
1.5
V
D S
- Volts
2
2.5
3
3.5
4
I
D
V
GS
= 10V
8V
7V
5V
6V
Fig. 4. R
DS(on)
Normalized to I
D25
Value vs.
Junction Temperature
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
2.8
3
-50
-25
0
T
J
- Degrees Centigrade
25
50
75
100
125
150
R
D
I
D
= 69A
I
D
= 34.5A
V
GS
= 10V
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Temperature
0
10
20
30
40
50
60
70
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- Degrees Centigrade
I
D
Fig. 5. R
DS(on)
Normalized to I
D25
Value vs. I
D
0.6
1
1.4
1.8
2.2
2.6
3
3.4
3.8
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
I
D
- Amperes
R
D
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
V
GS
= 10V
IXTQ 69N30P
IXTT 69N30P
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTT69N30P PolarHT Power MOSFET
IXTR200N10P PolarTM HiPerFET Power MOSFET
IXTT11P50 A/D Converter (A-D) IC; Resolution (Bits):12; ADC Sample Rate:100kSPS; Input Channels Per ADC:1; DNL +/-:0.5LSB; INL +/-:0.5LSB; Data Interface:Serial, Parallel; Package/Case:44-PLCC; Leaded Process Compatible:No
IXTT10P50 Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTT75N10 MegaMOS FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTQ72N20T 功能描述:MOSFET 72 Amps 200V 33 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ72N30T 功能描述:MOSFET 72 Amps 300V 52 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ74N15T 功能描述:MOSFET 74 Amps 150V 27 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ74N20P 功能描述:MOSFET 74 Amps 200V 0.034 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ75N10P 功能描述:MOSFET 75 Amps 100V 0.025 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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