參數(shù)資料
型號(hào)： IXTP3N50P
廠商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： PolarHV Power MOSFET
中文描述： 3.6 A, 500 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 241K
代理商： IXTP3N50P
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
4,881,106
IXTA 3N50P IXTP 3N50P
IXTY 3N50P
Symbol
Test Conditions Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
Min.
Typ.
Max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
2.5
3.5
S
C
iss
C
oss
C
rss
409
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
48
pF
6.1
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
15
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
D25
R
G
= 20
(External)
15
ns
38
ns
12
ns
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
9.3
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
3.3
nC
3.4
nC
R
thJC
R
thCS
1.8
°
C/W
°
C/W
(TO-220)
0.25
Source-Drain Diode Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
I
S
V
GS
= 0 V
3
A
I
SM
Repetitive
5
A
V
SD
I
= I
, V
= 0 V,
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
1.5
V
t
rr
I
F
= 3 A, -di/dt = 100 A/
μ
s
V
R
= 100 V, V
GS
= 0 V
400
ns
Pins:
1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
4 - Drain
TO-220 (IXTP) Outline
TO-263 (IXTA) Outline
Dim. Millimeter
Inches
Min.
Min.
Max.
Max.
A
A1
A2
b
b1
b2
c
c1
D
D1
E
E1
e
e1
H
L
L1
L2
L3
2.19
0.89
2.38
1.14
0.13
0.89
1.14
5.46
0.58
0.58
6.22
5.21
6.73
5.21
0.086
0.035
0.094
0.045
0.005
0.035
0.045
0.215
0.023
0.023
0.245
0.205
0.265
0.205
0
0
0.64
0.76
5.21
0.46
0.46
5.97
4.32
6.35
4.32
2.28 BSC
4.57 BSC
9.40 10.42
0.51
0.64
0.89
2.54
0.025
0.030
0.205
0.018
0.018
0.235
0.170
0.250
0.170
0.090 BSC
0.180 BSC
0.370
0.020
0.025
0.035
0.100
0.410
0.040
0.040
0.050
0.115
1.02
1.02
1.27
2.92
TO-252 AA (IXTY) Outline
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
6,771,478 B2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTY3N50P PolarHV Power MOSFET
IXTA3N60P R8C; R8C/2x Series; Microcontroller; Bit Size: 32/16-bit CISC; ROM: 96K; RAM: 5K; ROM Type: Flash memory; CPU: R8C core; Minimum Instruction Execution Time (ns): 50 (@20MHz); Operating Frequency / Supply Voltage: 20MHz/3.0 to 5.5V, 10MHz/2.7 to 5.5V; Operating Ambient Temperature (°C): -40 to 85; Package Code: PLQP0048KB-A (48P6Q-A)
IXTA50N20P PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTP50N20P PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTQ50N20P PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTP3N60P 功能描述:MOSFET 3 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP3N80 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB
IXTP3N80A 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB
IXTP3N90 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB
IXTP3N90A 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB
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