采購(gòu)需求
(若只采購(gòu)一條型號(hào),填寫(xiě)一行即可)*型號(hào) | *數(shù)量 | 廠商 | 批號(hào) | 封裝 |
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型號(hào): | IXTH75N10 |
廠商: | IXYS CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | IC ARM920T MCU 200MHZ 272-TFBGA |
中文描述: | 75 A, 100 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
封裝: | TO-247AD, 3 PIN |
文件頁(yè)數(shù): | 4/4頁(yè) |
文件大小: | 111K |
代理商: | IXTH75N10 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IXTN36N50 | N-Channel Enhancement Mode |
IXTP01N100D | High Voltage MOSFET |
IXTP05N100 | High Voltage MOSFET |
IXTP10N60PM | PolarHV Power MOSFET |
IXTP2N60P | PolarHV Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IXTH75N10 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
IXTH75N10L2 | 功能描述:MOSFET LinearL2 Powr MOSFET w/extended FBSOA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXTH75N15 | 功能描述:MOSFET 75 Amps 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXTH76N25T | 功能描述:MOSFET 76 Amps 250V 39 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXTH76P10T | 功能描述:MOSFET -76 Amps -100V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
*型號(hào) | *數(shù)量 | 廠商 | 批號(hào) | 封裝 |
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