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參數(shù)資料
| 型號： | IXTN36N50 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode |
| 中文描述： | 36 A, 500 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | SOT-227B, MINIBLOC-4 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 254K |
| 代理商： | IXTN36N50 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTP01N100D | High Voltage MOSFET |
| IXTP05N100 | High Voltage MOSFET |
| IXTP10N60PM | PolarHV Power MOSFET |
| IXTP2N60P | PolarHV Power MOSFET |
| IXTY2N60P | PolarHV Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXTN36N50 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B |
| IXTN40P50P | 功能描述:MOSFET -40.0 Amps -500V 0.230 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTN44N50L | 功能描述:MOSFET 44 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTN46N50L | 功能描述:MOSFET 44 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTN550N055T2 | 功能描述:功率驅(qū)動器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
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