參數(shù)資料
型號： IXTA8N50P
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PolarHV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
中文描述： 8 A, 500 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： TO-263, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 232K
代理商： IXTA8N50P
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXTA 8N50P
IXTP 8N50P
Fig. 11. Capacitance
10
100
1000
10000
0
5
10
15
V
D S
- Volts
20
25
30
35
40
C
Ciss
Coss
Crss
f = 1MHz
Fig. 10. Gate Charge
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
2
4
6
Q
G
- nanoCoulombs
8
10
12
14
16
18
20
22
V
G
V
DS
= 250V
I
D
= 4A
I
G
= 10mA
Fig. 7. Input Admittance
0
2
4
6
8
10
12
14
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
V
G S
- Volts
I
D
T
J
= 125
o
C
25
o
C
-40
o
C
Fig. 8. Transconductance
0
2
4
6
8
10
12
14
0
2
4
6
8
10
12
14
I
D
- Amperes
g
f
T
J
= -40
o
C
25
o
C
125
o
C
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
0
4
8
12
16
20
24
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
V
S D
- Volts
I
S
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
0.1
1
10
100
10
100
1000
V
D S
- Volts
I
D
100μs
1ms
DC
T
J
= 150oC
T
C
= 25oC
R
DS(on)
Limit
10ms
25μs
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTP8N50P PolarHV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTB30N100L Power MOSFETs with Extended FBSOA
IXTN30N100L Power MOSFETs with Extended FBSOA
IXTC13N50 Power MOSFET ISOPLUS220
IXTC26N50P PolarHV Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTA8PN50P 功能描述:MOSFET 8.0 Amps 500 V 0.8 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTA90N055T 功能描述:MOSFET 90 Amps 55V 8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTA90N055T2 功能描述:MOSFET 90 Amps 55V 0.0084 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTA90N075T2 功能描述:MOSFET 90 Amps 75V 0.01 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTA90N15T 功能描述:MOSFET 90 Amps 150V 20 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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