型號(hào): | IXTB30N100L |
廠商: | IXYS CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | Power MOSFETs with Extended FBSOA |
中文描述: | 30 A, 1000 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封裝: | PLASTIC, PLUS264, 3 PIN |
文件頁(yè)數(shù): | 1/5頁(yè) |
文件大?。?/td> | 105K |
代理商: | IXTB30N100L |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IXTN30N100L | Power MOSFETs with Extended FBSOA |
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IXTM10N100 | MegaMOS FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IXTB62N50L | 功能描述:MOSFET 62 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXTC102N20T | 功能描述:MOSFET 102 Amps 200V 22 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXTC102N25T | 功能描述:MOSFET 102 Amps 250V 29 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXTC110N25T | 功能描述:MOSFET 110 Amps 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXTC130N15T | 功能描述:MOSFET 130 Amps 150V 12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |