參數(shù)資料
型號(hào): IXTA36N30P
廠商: IXYS CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: PolarHT Power MOSFET
中文描述: 36 A, 300 V, 0.11 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝: TO-263, 3 PIN
文件頁數(shù): 5/5頁
文件大?。?/td> 589K
代理商: IXTA36N30P
2004 IXYS All rights reserved
IXTA 36N30P IXTP 36N30P
IXTQ 36N30P
Fig . 13. M axim u m T ran s ie n t T h e rm al Re s is tan ce
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0.10
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0.20
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1
10
100
1000
Pulse W idth - milliseconds
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C
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PDF描述
IXTP36N30P PolarHT Power MOSFET
IXTQ36N30P PolarHT Power MOSFET
IXTC75N10 N-Channel Enhancement Mode
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參數(shù)描述
IXTA36N30T 功能描述:MOSFET 36 Amps 300V 110 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTA36P15P 功能描述:MOSFET -36.0 Amps -150V 0.110 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTA38N15T 功能描述:MOSFET 38 Amps 150V 52 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTA3N100D2 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTA3N100P 功能描述:MOSFET 3 Amps 1000V 4.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube