參數(shù)資料
型號(hào)： IXTA36N30P
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PolarHT Power MOSFET
中文描述： 36 A, 300 V, 0.11 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： TO-263, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 589K
代理商： IXTA36N30P
2004 IXYS All rights reserved
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25
o
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0
3
6
9
12
V
D S
- Volts
15
18
21
24
27
30
I
D
V
GS
= 10V
7V
6V
8V
9V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125
o
C
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
33
36
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
D S
- Volts
I
D
V
GS
= 10V
9V
8V
5V
6V
7V
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25
o
C
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
33
36
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
V
D S
- Volts
I
D
V
GS
= 10V
9V
7V
6V
8V
Fig. 4. R
DS(on
)
Normalized to 0.5 I
D25
Value vs. Junction Temperature
0.4
0.7
1
1.3
1.6
1.9
2.2
2.5
2.8
3.1
-50
-25
0
T
J
- Degrees Centigrade
25
50
75
100
125
150
R
D
I
D
= 36A
I
D
= 18A
V
GS
= 10V
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Temperature
0
5
10
15
20
25
30
35
40
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- Degrees Centigrade
I
D
Fig. 5. R
DS(on)
Normalized to
0.5 I
D25
Value vs. I
D
0.6
1
1.4
1.8
2.2
2.6
3
3.4
3.8
4.2
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
I
D
- Amperes
R
D
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
V
GS
= 10V
IXTA 36N30P IXTP 36N30P
IXTQ 36N30P
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTP36N30P PolarHT Power MOSFET
IXTQ36N30P PolarHT Power MOSFET
IXTC75N10 N-Channel Enhancement Mode
IXTQ110N10P N-Channel Enhancement Mode
IXTT110N10P N-Channel Enhancement Mode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTA36N30T 功能描述:MOSFET 36 Amps 300V 110 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTA36P15P 功能描述:MOSFET -36.0 Amps -150V 0.110 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTA38N15T 功能描述:MOSFET 38 Amps 150V 52 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTA3N100D2 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTA3N100P 功能描述:MOSFET 3 Amps 1000V 4.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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