參數(shù)資料
型號： IXSH50N60B
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Short Circuit SOA Capability
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 75K
代理商： IXSH50N60B
fuvp=jlpcbqp=~=fd_q=~êé=éêé=ó=é=ê=êé==íüé=á=rKpK=é~íéíW
QIUPRIRVO
QIURMIMTO
QIUUNINMS
QIVPNIUQQ
RIMNTIRMU
RIMPQITVS
RIMQVIVSN
RIMSPIPMT
RINUTINNT
RIOPTIQUN
RIQUSITNR
RIPUNIMOR
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Figure 9. Gate Charge
Figure 10. Turn-off Safe Operating Area
Figure 11. Transient Thermal Resistance
Figure 7. Dependence of E
ON
and E
OFF
on I
C
.
Figure 8. Dependence of E
ON
and E
OFF
on
R
G
.
Pulse Width - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Z
t
0.001
0.01
0.1
1
D=0.02
V
CE
- Volts
0
100
200
300
400
500
600
I
C
0.1
1
10
100
Q
g
- nanocoulombs
0
25
50
75
100
125
150
175
0
4
8
12
16
20
R
G
- Ohms
0
10
20
30
40
50
60
E
(
0
5
10
15
20
E
(
0
1
2
3
4
I
C
- Amperes
0
20
40
60
80
100
E
(
0
4
8
12
16
20
24
E
(
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
CE
= 250V
I
C
=50A
E
(ON)
E
(OFF)
E
(ON)
E
(OFF)
T
J
= 125°C
R
G
= 6.2
dV/dt < 5V/ns
D=0.1
D=0.05
Single pulse
D = Duty Cycle
T
J
= 125°C
R
G
= 10
600
E
(OFF)
E
(OFF)
D=0.2
D=0.5
D=0.01
I
C
=25A
T
J
= 125°C
I
C
= 100A
I
C
= 50A
E
(ON)
E
(ON)
IXSH
50N60B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSK35N120BD1 HIGH VOLTAGE IGBT WITH DIODE
IXSX35N120BD1 HIGH VOLTAGE IGBT WITH DIODE
IXSK35N120AU1 High Voltage IGBT with Diode
IXSK40N60BD1 IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.2V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
IXSK50N60AU1 IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.7V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSH50N60BS 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247SMD
IXSK30N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 55 Amps 600V 2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSK30N60CD1 功能描述:IGBT 晶體管 55 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSK35N120AU1 功能描述:IGBT 晶體管 70 Amps 1200V 4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSK35N120BD1 功能描述:IGBT 晶體管 70 Amps 1200V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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