型號(hào): | IXSK35N120BD1 |
廠商: | IXYS CORP |
元件分類: | IGBT 晶體管 |
英文描述: | HIGH VOLTAGE IGBT WITH DIODE |
中文描述: | 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264 |
封裝: | TO-264, 3 PIN |
文件頁(yè)數(shù): | 1/2頁(yè) |
文件大小: | 118K |
代理商: | IXSK35N120BD1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IXSX35N120BD1 | HIGH VOLTAGE IGBT WITH DIODE |
IXSK35N120AU1 | High Voltage IGBT with Diode |
IXSK40N60BD1 | IGBT with Diode(VCES為600V,VCE(sat)為2.2V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管)) |
IXSK50N60AU1 | IGBT with Diode(VCES為600V,VCE(sat)為2.7V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管)) |
IXSK50N60BD1 | IGBT with Diode(VCES為600V,VCE(sat)為2.5V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IXSK40N60BD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXSK40N60CD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXSK50N60AU1 | 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXSK50N60BD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXSK50N60BU1 | 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |