參數(shù)資料
型號： IXSH50N60B
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Short Circuit SOA Capability
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 75K
代理商： IXSH50N60B
=NVVV=fuvp=^=êáüí=êééêé
Figure 1. Saturation Voltage Characteristics
Figure 2. Extended Output Characteristics
Figure 3. Saturation Voltage Characteristics
Figure 4. Temperature Dependence of V
CE(sat)
Figure 5. Admittance Curves
Figure 6. Capacitance Curves
V
GE
- Volts
4
6
8
10
12
14
16
I
C
0
20
40
60
80
100
V
CE
-Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
40
C
10
100
1000
10000
T
J
- Degrees C
25
50
75
100
125
150
V
C
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
I
C
0
20
40
60
80
100
V
CE
- Volts
0
4
8
12
16
20
I
C
0
40
80
120
160
13V
11V
9V
V
CE
= 10V
T
J
= 25°C
V
GE
= 15V
T
J
= 25°C
I
C
= 25A
I
C
= 50A
I
C
= 100A
T
J
=
125°C
C
rss
f = 1Mhz
9V
V
GE
= 15V
T
J
= 25°C
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
I
C
0
20
40
60
80
100
T
J
= 125°C
C
iss
C
oss
7V
9V
11V
7V
13V
V
GE
= 15V
13V
11V
V
GE
= 15V
IXSH
50N60B
相關PDF資料
PDF描述
IXSK35N120BD1 HIGH VOLTAGE IGBT WITH DIODE
IXSX35N120BD1 HIGH VOLTAGE IGBT WITH DIODE
IXSK35N120AU1 High Voltage IGBT with Diode
IXSK40N60BD1 IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.2V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
IXSK50N60AU1 IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.7V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IXSK30N60CD1 功能描述:IGBT 晶體管 55 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSK35N120AU1 功能描述:IGBT 晶體管 70 Amps 1200V 4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSK35N120BD1 功能描述:IGBT 晶體管 70 Amps 1200V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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