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參數(shù)資料
| 型號： | IXGL200N60B3 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 文件頁數(shù)： | 6/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 211K |
| 代理商： | IXGL200N60B3 |
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXGL200N60B3
IXYS REF: G_200N60B3(97)3-28-08-A
Fig. 19. Inductive Turn-on
Switching Times vs. Collector Current
30
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50
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100
IC - Amperes
t r
-
N
anos
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on
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-
N
anos
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onds
t r
td(on) - - - -
RG = 1 , VGE = 15V
VCE = 300V
TJ = 25C, 125C
Fig. 20. Inductive Turn-on
Switching Times vs. Junction Temperature
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25
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45
55
65
75
85
95
105
115
125
TJ - Degrees Centigrade
t r
-
N
ano
se
conds
36
38
40
42
44
46
48
t
d(
on
) -
N
anos
ec
onds
t r
td(on) - - - -
RG = 1 , VGE = 15V
VCE = 300V
I C = 50A
I C = 100A
Fig. 18. Inductive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
30
50
70
90
110
130
150
12
345
678
9
10
RG - Ohms
t r
-
N
anos
ec
onds
20
40
60
80
100
120
140
t
d(
on
) -
N
anos
ec
onds
t r
td(on) - - - -
TJ = 125C, VGE = 15V
VCE = 300V
I C = 100A
I C = 50A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGN200N60A2 | |
| IXGN320N60A3 | |
| IXGP48N60A3 | 48 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| IXGQ28N120B | |
| IXSE503PC | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PDIP24 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXGL50N60BD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGL75N250 | 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGM10N100A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 20A I(C) | TO-204AE |
| IXGM10N50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-204AE |
| IXGM10N50A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-204AE |
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