參數(shù)資料
型號: IXGL200N60B3
廠商: IXYS CORP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
文件頁數(shù): 3/6頁
文件大?。?/td> 211K
代理商: IXGL200N60B3
2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
IXGL200N60B3
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25C
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
VCE - Volts
I C
-
A
m
per
es
VGE = 15V
11V
9V
7V
5V
6V
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25C
0
50
100
150
200
250
300
350
0
1234
56789
VCE - Volts
I C
-
A
m
per
es
VGE = 15V
11V
9V
5V
6V
7V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125C
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
VCE - Volts
I C
-
A
m
p
e
re
s
VGE = 15V
13V
11V
7V
5V
9V
Fig. 4. Dependence of VCE(sat) on
Junction Temperature
0.80
0.85
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
1.15
1.20
1.25
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ - Degrees Centigrade
V
CE(
sa
t)-
N
o
rm
a
liz
e
d
VGE = 15V
I C = 200A
I C = 150A
I C = 100A
Fig. 5. Collector-to-Emitter Voltage
vs. Gate-to-Emitter Voltage
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
3.0
3.2
3.4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
VGE - Volts
V
CE
-
V
o
lts
I C = 200A
150A
100A
TJ = 25C
Fig. 6. Input Admittance
0
20
40
60
80
100
120
140
160
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
VGE - Volts
I C
-
A
m
per
es
TJ = 125C
25C
- 40C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGN200N60A2
IXGN320N60A3
IXGP48N60A3 48 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
IXGQ28N120B
IXSE503PC SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PDIP24
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IXGL75N250 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGM10N100A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 20A I(C) | TO-204AE
IXGM10N50 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-204AE
IXGM10N50A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-204AE