參數(shù)資料
型號(hào)： IXGN200N60A2
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
中文描述： 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MINIBLOC-4
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大小： 553K
代理商： IXGN200N60A2
2003 IXYS All rights reserved
IXGN 200N60A2
V
CES
= 600 V
I
C25
= 200 A
V
CE(sat)
= 1.35 V
SOT-227B, miniBLOC
Features
International standard package
miniBLOC
Aluminium nitride isolation
- high power dissipation
Isolation voltage 3000 V~
Very high current IGBT
Low V
CE(sat) for minimum on-state
conduction losses
MOS Gate turn-on
- drive simplicity
Low collector-to-case capacitance
(< 50 pF)
Low package inductance (< 5 nH)
- easy to drive and to protect
Applications
AC motor speed control
DC servo and robot drives
DC choppers
Uninterruptible power supplies (UPS)
Switch-mode and resonant-mode
power supplies
Advantages
Easy to mount with 2 screws
Space savings
High power density
E
G = Gate, C = Collector, E = Emitter
either emitter terminal can be used as
Main or Kelvin Emitter
G
E
C
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
CES
T
J
= 25
°C to 150°C
600
V
V
CGR
T
J
= 25
°C to 150°C; R
GE = 1 M
600
V
V
GES
Continuous
±20
V
V
GEM
Transient
±30
V
I
C25
T
C = 25°C
200
A
I
C110
T
C = 110°C
100
A
I
CM
T
C = 25°C, 1 ms
400
A
SSOA
V
GE = 15 V, TVJ = 125°C, RG = 2.0
I
CM = 200
A
(RBSOA)
Clamped inductive load
@ 0.8 V
CES
P
C
T
C = 25°C
700
W
T
J
-55 ... +150
°C
T
JM
150
°C
T
stg
-55 ... +150
°C
V
ISOL
50/60 Hz
t = 1 min
2500
V~
I
ISOL ≤ 1 mA
t = 1 s
3000
V~
M
d
Mounting torque
1.5/13 Nm/lb.in.
Terminal connection torque (M4)
1.5/13 Nm/lb.in.
Weight
30
g
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J = 25°C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
V
GE(th)
I
C
= 1 mA, V
CE = VGE
2.5
5.5
V
I
CES
V
CE = VCES
T
J =
25
°C50
A
V
GE = 0 V
T
J = 125°C2
mA
I
GES
V
CE = 0 V, VGE = ±20 V
±400
nA
V
CE(sat)
I
C
= I
C110, VGE = 15 V
1.2
1.35
V
DS99087A(11/03)
IGBT
Optimized for Switching
up to 5 kHz
Preliminary Data Sheet
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGN320N60A3
IXGP48N60A3 48 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
IXGQ28N120B
IXSE503PC SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PDIP24
IXSE502PC SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PDIP20
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGN200N60B 功能描述:IGBT 晶體管 200 Amps 600V 2.1 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGN200N60B3 功能描述:IGBT 晶體管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 200A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGN320N60A3 功能描述:IGBT 晶體管 320 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGN400N30A3 功能描述:IGBT 晶體管 400 Amps 300V 1.15 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGN400N60A3 功能描述:IGBT 晶體管 400 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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