參數(shù)資料
型號： IXGN200N60A2
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
中文描述： 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 553K
代理商： IXGN200N60A2
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
SOT-227B miniBLOC
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J = 25°C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
C
= 60 A; V
CE = 10 V,
70
106
S
Pulse test, t
≤ 300 s, duty cycle ≤ 2 %
C
ies
9900
pF
C
oes
V
CE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz
740
pF
C
res
190
pF
Q
g
480
nC
Q
ge
I
C = IC110, VGE = 15 V, VCE = 0.5 VCES
63
nC
Q
gc
169
nC
t
d(on)
60
ns
t
ri
45
ns
t
d(off)
360
ns
t
fi
250
ns
E
off
5mJ
t
d(on)
60
ns
t
ri
60
ns
E
on
3.0
mJ
t
d(off)
290
ns
t
fi
660
ns
E
off
12
mJ
R
thJC
0.17 K/W
R
thCK
0.05
K/W
Inductive load, T
J = 25°
°°°°C
I
C = IC110, VGE = 15 V
V
CE = 0.8 VCES, RG = Roff = 2.0
Inductive load, T
J = 125°
°°°°C
I
C = IC110, VGE = 15 V
V
CE = 0.8 VCES, RG = Roff = 2.4
IXGN 200N60A2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
IXGN200N60B 功能描述:IGBT 晶體管 200 Amps 600V 2.1 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGN200N60B3 功能描述:IGBT 晶體管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 200A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGN320N60A3 功能描述:IGBT 晶體管 320 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGN400N30A3 功能描述:IGBT 晶體管 400 Amps 300V 1.15 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGN400N60A3 功能描述:IGBT 晶體管 400 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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